উচ্চ ক্ষমতা 1W EDFA পরিবর্ধক মডিউল নির্মাতারা

প্রথাগত লেজার সক্রিয় এলাকায় উপাদান গলে এবং এমনকি উদ্বায়ীকরণ লেজার শক্তির তাপ জমা ব্যবহার করে। প্রক্রিয়ায়, প্রচুর পরিমাণে চিপ, মাইক্রো-ফাটল এবং অন্যান্য প্রক্রিয়াকরণ ত্রুটি তৈরি হবে এবং লেজার যত বেশি সময় ধরে থাকবে, উপাদানটির ক্ষতি তত বেশি হবে। অতি-সংক্ষিপ্ত পালস লেজারের উপাদানটির সাথে একটি অতি-সংক্ষিপ্ত মিথস্ক্রিয়া সময় রয়েছে এবং একক-পালস শক্তি যে কোনও উপাদানকে আয়নিত করতে, অ-গরম-গলে ঠান্ডা প্রক্রিয়াকরণ উপলব্ধি করতে এবং অতি-সূক্ষ্ম, কম-প্রাপ্ত করার জন্য যথেষ্ট শক্তিশালী। ক্ষতি প্রক্রিয়াকরণ সুবিধা লং-পালস লেজারের সাথে অতুলনীয়। একই সময়ে, উপকরণ নির্বাচনের জন্য, আল্ট্রাফাস্ট লেজারগুলির ব্যাপক প্রযোজ্যতা রয়েছে, যা ধাতু, টিবিসি আবরণ, যৌগিক উপকরণ ইত্যাদিতে প্রয়োগ করা যেতে পারে।

পাম্প লেজারগুলি লেজার সিস্টেমের "শক্তি সরবরাহ কোর"। তারা উদ্দীপিত বিকিরণ তৈরি করতে মিডিয়াকে উত্তেজিত করতে এবং অবশেষে একটি স্থিতিশীল লেজার আউটপুট তৈরি করার জন্য লাভ মিডিয়াতে (যেমন এর্বিয়াম-ডোপড ফাইবার, সলিড-স্টেট ক্রিস্টাল) একটি নির্দিষ্ট তরঙ্গদৈর্ঘ্যের আলোক শক্তি ইনজেক্ট করে। তাদের কর্মক্ষমতা সরাসরি লেজার সিস্টেমের শক্তি, দক্ষতা এবং স্থায়িত্ব নির্ধারণ করে।

আল্ট্রা-লং ডিস্টেন্স নন-রিলে অপটিক্যাল ট্রান্সমিশন সর্বদা অপটিক্যাল ফাইবার যোগাযোগের ক্ষেত্রে একটি গবেষণার হটস্পট। নন-রিলে অপটিক্যাল ট্রান্সমিশনের দূরত্ব আরও বাড়ানোর জন্য নতুন অপটিক্যাল অ্যামপ্লিফিকেশন প্রযুক্তির অনুসন্ধান একটি মূল বৈজ্ঞানিক সমস্যা।

উচ্চ-শক্তি ক্রমাগত থুলিয়াম-ডোপড ফাইবার লেজারগুলির দ্বারা সম্মুখীন হওয়া চ্যালেঞ্জগুলি, গত দুই দশক ধরে, অবিচ্ছিন্ন থুলিয়াম-ডোপড ফাইবার লেজারগুলির আউটপুট শক্তি নাটকীয়ভাবে বৃদ্ধি পেয়েছে। একটি একক অল-ফাইবার অসিলেটরের আউটপুট পাওয়ার 500 ওয়াট ছাড়িয়ে গেছে; অল-ফাইবার MOPA কাঠামো কিলোওয়াটের আউটপুট শক্তি অর্জন করেছে। যাইহোক, এখনও ক্ষমতার আরও উন্নতি সীমাবদ্ধ করার অনেক সমস্যা রয়েছে।

সাধারণভাবে বলতে গেলে, লোকেরা যখন ইনফ্রারেড আলোর উত্স সম্পর্কে কথা বলে, তখন তারা ~700-800 এনএম (দৃশ্যমান তরঙ্গদৈর্ঘ্যের সীমার উপরের সীমা) এর চেয়ে বেশি ভ্যাকুয়াম তরঙ্গদৈর্ঘ্যের আলোকে উল্লেখ করে।