1550nm হাই পাওয়ার ন্যানোসেকেন্ড পালসড ফাইবার লেজার নির্মাতারা

আমাদের কারখানা ফাইবার লেজার মডিউল, আল্ট্রাফাস্ট লেজার মডিউল, হাই পাওয়ার ডায়োড লেজার সরবরাহ করে। আমাদের কোম্পানি বিদেশী প্রক্রিয়া প্রযুক্তি গ্রহণ করে, উন্নত উত্পাদন এবং পরীক্ষার সরঞ্জাম রয়েছে, ডিভাইস কাপলিং প্যাকেজে, মডিউল ডিজাইনে নেতৃস্থানীয় প্রযুক্তি এবং খরচ নিয়ন্ত্রণ সুবিধা রয়েছে, সেইসাথে নিখুঁত মানের নিশ্চয়তা সিস্টেম, গ্রাহকের জন্য উচ্চ কর্মক্ষমতা প্রদানের গ্যারান্টি দিতে পারে। , নির্ভরযোগ্য মানের optoelectronic পণ্য.

গরম পণ্য

  • মাল্টি ওয়েভেলংথ গেইন সমতল EDFA পরিবর্ধক

    মাল্টি ওয়েভেলংথ গেইন সমতল EDFA পরিবর্ধক

    মাল্টি ওয়েভেলংথ গেইন ফ্ল্যাটেনড ইডিএফএ অ্যামপ্লিফায়ার হল অপটিক্যাল ফাইবার কমিউনিকেশন সিস্টেমে ব্যবহৃত ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ারগুলির একটি সিরিজ। এটি একই সময়ে সি-ব্যান্ডে একাধিক তরঙ্গদৈর্ঘ্য সংকেতকে প্রশস্ত করতে পারে, এবং সমতলতা ‰¤ 1.5dBm লাভ সহ সমস্ত তরঙ্গদৈর্ঘ্যের মধ্যে একই লাভ রাখতে পারে যা প্রশস্ত বর্ণালী, বহু তরঙ্গদৈর্ঘ্য, সমতল লাভ, উচ্চ লাভ এবং কম শব্দ সহ।
  • 1550nm 10mW DFB সংকীর্ণ লাইন প্রস্থ লেজার ডায়োড

    1550nm 10mW DFB সংকীর্ণ লাইন প্রস্থ লেজার ডায়োড

    1550nm 10mW DFB ন্যারো লাইনউইথ লেজার ডায়োড সিরিজ সরাসরি মড্যুলেট করা এক্সটার্নাল ক্যাভিটি লেজার SMF-28 ফাইবারে 2.5Gbits/s ডিজিটাল ট্রান্সমিশনের জন্য সাশ্রয়ী সমাধান। এটি একটি হারমেটিকভাবে সিল করা 14-পিন বাটারফ্লাই প্যাকেজে তৈরি করা হয়েছে যাতে থার্মোইলেকট্রিক কুলার (TEC), থার্মিস্টর, মনিটর ফটোডিওড, অপটিক্যাল আইসোলেটর রয়েছে। এনএলডি একটি সরাসরি মডিউলেটেড ডিএফবি-র তুলনায় যথেষ্ট কম বিচ্ছুরণ জরিমানা এবং কম কিচিরমিচির প্রদান করে। তরঙ্গদৈর্ঘ্য স্থায়িত্ব ডিজাইন দ্বারা নিশ্চিত করা হয়, তরঙ্গদৈর্ঘ্য লকার এবং জটিল প্রতিক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ সার্কিটের প্রয়োজনীয়তা দূর করে।
  • 1920~2020nm TDFA থুলিয়াম ডোপড ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ার

    1920~2020nm TDFA থুলিয়াম ডোপড ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ার

    1920~2020nm TDFA থুলিয়াম ডোপড ফাইবার অ্যামপ্লিফায়ার -10dBm~+10dBm শক্তি পরিসরে 2um ব্যান্ড লেজার সংকেতগুলিকে প্রশস্ত করতে ব্যবহার করা যেতে পারে। স্যাচুরেটেড আউটপুট পাওয়ার 40dBm পর্যন্ত পৌঁছাতে পারে। এটি প্রায়শই লেজার আলোর উত্সগুলির সংক্রমণ শক্তি বাড়ানোর জন্য ব্যবহৃত হয়।
  • 50um InGaAs Avalanche Photodiode চিপ

    50um InGaAs Avalanche Photodiode চিপ

    50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip হল photodiode যার অভ্যন্তরীণ লাভ একটি বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগের মাধ্যমে উত্পাদিত হয়। ফটোডিওডের তুলনায় তাদের উচ্চ সংকেত-টু-শব্দ অনুপাত (SNR), সেইসাথে দ্রুত সময়ের প্রতিক্রিয়া, কম অন্ধকার কারেন্ট এবং উচ্চ সংবেদনশীলতা রয়েছে। বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা সাধারণত 900 - 1650nm এর মধ্যে থাকে।
  • 1390nm DFB বাটারফ্লাই লেজার ডায়োড মডিউল

    1390nm DFB বাটারফ্লাই লেজার ডায়োড মডিউল

    1390nm DFB বাটারফ্লাই লেজার ডায়োড মডিউলটি বিল্ট-ইন আইসোলেটর, TEC, থার্মিস্টর এবং মনিটর পিডি হার্মেটিক্যালি সিল করা 14 পিন বাটারফ্লাই প্যাকেজ, বক্স অপট্রোনিক্স তরঙ্গদৈর্ঘ্য উচ্চ ক্ষমতার ডিএফবি লেজার, এফবিজি স্ট্যাবিলাইজড লেজার ডায়োডুস কাস্টমাইজ করতে পারে।
  • 975nm 976nm 90W MM ফাইবার কাপলড পাম্প লেজার ডায়োড

    975nm 976nm 90W MM ফাইবার কাপলড পাম্প লেজার ডায়োড

    975nm 976nm 90W MM ফাইবার কাপলড পাম্প লেজার ডায়োডটি অনেক শিল্প অ্যাপ্লিকেশন যেমন মুদ্রণ শিল্প, অন্যান্য গ্রাফিক আর্ট, উপাদান প্রক্রিয়াকরণ এবং সেন্সিং যন্ত্রগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। লেজার ডায়োডের নিরাপদ ড্রাইভ অবস্থার প্রয়োজন যা ব্যবহার করার জন্য প্রস্তুত লেজার ডায়োড সাবসিস্টেম দ্বারা নিশ্চিত করা হয়।

অনুসন্ধান পাঠান