1550nm 5W একক তরঙ্গদৈর্ঘ্য DFB এর্বিয়াম-ডোপড ফাইবার লেজার মডিউল নির্মাতারা

এই 1310nm 5mW TO-CAN DFB লেজার ডায়োড একটি নিম্ন তাপমাত্রা-তরঙ্গদৈর্ঘ্য সহগ সহ একটি বিস্তৃত তাপমাত্রা পরিসরে অপারেবল একটি পণ্য। ফাইবার বা ফাঁকা জায়গায় দূরত্ব পরিমাপের জন্য যোগাযোগ গবেষণা, ইন্টারফেরোমেট্রি এবং অপটিক্যাল রিফ্লোমেট্রির মতো অ্যাপ্লিকেশনের জন্য এটি উপযুক্ত। প্রতিটি ডিভাইস পরীক্ষা এবং বার্ন-ইন এর মধ্য দিয়ে যায়। এই লেজারটি 5.6 মিমি টু ক্যানে প্যাকেজ করা হয়। এটিতে ক্যাপে একটি সমন্বিত অ্যাসফেরিক ফোকাসিং লেন্স রয়েছে, যা ফোকাস স্পট এবং সংখ্যাসূচক অ্যাপারচার (NA) কে SMF-28e+ ফাইবারের সাথে মেলাতে দেয়।

ইথেন C2H6 গ্যাস সেন্সিংয়ের জন্য 1683nm 10mW DFB বাটারফ্লাই লেজার ডায়োড বিশেষভাবে সেন্সর প্রয়োগের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। ডিভাইসগুলি উচ্চ আউটপুট শক্তি এবং বিস্তৃত অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা বৈশিষ্ট্য. তাদের 14-পিন প্রজাপতি প্যাকেজগুলি হয় আদর্শ SONET OC-48 ডিভাইসের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।

CH4 সেন্সিংয়ের জন্য 1653nm DFB লেজার ডায়োড কোলিমেটিং লেন্স সহ নির্ভরযোগ্য, স্থিতিশীল তরঙ্গদৈর্ঘ্য এবং উচ্চ শক্তির আউটপুট সরবরাহ করে। এই একক অনুদৈর্ঘ্য মোড লেজারটি বিশেষভাবে মিথেন (CH4) লক্ষ্য করে গ্যাস সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। সংকীর্ণ লাইনউইথ আউটপুট অপারেটিং অবস্থার বিস্তৃত পরিসর জুড়ে অ্যাপ্লিকেশন কর্মক্ষমতা উন্নত করে।

TEC সহ 1410nm পিগটেইলড কোক্সিয়াল লেজার ডায়োড মডিউল সাধারণত আলোর উত্সকে স্থিতিশীল বা মডিউল করার জন্য প্রয়োগ করা হয়। উপরন্তু, উচ্চ স্থিতিশীলতা লেজার উৎস পরীক্ষা যন্ত্রপাতি এবং OTDR সরঞ্জাম জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে. লেজার ডায়োডটি একটি CWDM-DFB চিপ, অন্তর্নির্মিত আইসোলেটর, অন্তর্নির্মিত মনিটর ফটোডিওড এবং TEC কুলার এবং SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC অপটিক্যাল ফাইবার সংযোগকারীর সমন্বয়ে গঠিত। গ্রাহকরা প্রকৃত চাহিদার উপর ভিত্তি করে অপটিক্যাল ফাইবার এবং পিনের সংজ্ঞার দৈর্ঘ্য নির্বাচন করতে পারেন। আউটপুট পাওয়ার 1MW থেকে পাওয়া যায়, 1270nm~1610nm CWDM তরঙ্গদৈর্ঘ্য উপলব্ধ।

1590nm DFB বাটারফ্লাই লেজার ডায়োডস 14-পিন এসএম ফাইবার বা পিএম ফাইবার একক মোড অপটিক্যাল ফাইবারের সাথে মিলিত ফাইবার। CW আউটপুট শক্তি তরঙ্গদৈর্ঘ্য নির্ভরশীল এবং 2mW এবং 40mW এর মধ্যে অবস্থিত। বিতরণ করা প্রতিক্রিয়া গহ্বর মাত্র 0.1nm এর লাইনউইথ তৈরি করে।

500um Large Area InGaAs Avalanche Photodiode চিপ বিশেষভাবে ডিজাইন করা হয়েছে যাতে কম অন্ধকার, কম ক্যাপাসিট্যান্স এবং উচ্চ তুষারপাত লাভ হয়। এই চিপটি ব্যবহার করে একটি উচ্চ সংবেদনশীলতা সহ একটি অপটিক্যাল রিসিভার অর্জন করা যেতে পারে।