1550nm 10W CW হাই পাওয়ার ফাইবার লেজার নির্মাতারা

হাই পাওয়ার সি-ব্যান্ড 1W 30dBm Erbium Doped Fiber Amplifier EYDFA (EYDFA-HP) ডাবল-ক্ল্যাড এর্বিয়াম-ডোপড ফাইবার এমপ্লিফায়ার প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে, একটি অনন্য অপটিক্যাল প্যাকেজিং প্রক্রিয়া ব্যবহার করে, একটি নির্ভরযোগ্য উচ্চ-শক্তি লেজার সুরক্ষা ডিজাইনের সাথে মিলিত, 1540~1565nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য পরিসরে উচ্চ-শক্তি লেজার আউটপুট অর্জন করতে। উচ্চ শক্তি এবং কম শব্দ সহ, এটি ফাইবার অপটিক যোগাযোগ, লিডার ইত্যাদিতে ব্যবহার করা যেতে পারে।

1064nm আল্ট্রা-ন্যারো লাইনউইথ 20 kHz CW ফাইবার লেজার অ্যাকোস্টিকসেন্সিংয়ের জন্য 1064nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য ব্যান্ডে একক-লংগিটুডিনাল-মোড, সংকীর্ণ-লাইনউইথ ক্রমাগত-তরঙ্গ লেজার আলো আউটপুট করতে একটি ফাইবার DFB লেজার গহ্বর কাঠামো ব্যবহার করে। এর বর্ণালী লাইনউইথ 20kHz এর কম, এবং এর আউটপুট বর্ণালী সাইড-মোড দমন অনুপাত 60dB ছাড়িয়ে গেছে। উচ্চ শক্তি সংস্করণ এছাড়াও উপলব্ধ. মডিউল বা ডেস্কটপ প্যাকেজে পাওয়া যায়, এটি ডিস্ট্রিবিউটেড সেন্সিং-এর মতো অ্যাপ্লিকেশনের জন্য একটি আদর্শ লেজার উৎস।

1310nm 10dBm SOA সেমিকন্ডাক্টর অপটিক্যাল এমপ্লিফায়ার SM Butterfly একটি উচ্চ মানের কোণযুক্ত SOA চিপ এবং একটি TEC ব্যবহার করে ডিজাইন করা হয়েছে যা একটি বড় গতিশীল ইনপুট সিগন্যালের জন্য একটি স্থিতিশীল পরিবর্ধিত আউটপুট নিশ্চিত করতে পারে৷ ডিভাইসগুলি 1310nm এবং 1550nm ব্যান্ডে একটি স্ট্যান্ডার্ড, 14-পিন বাটারফ্লাই প্যাকেজে উপলব্ধ। SOA ডিভাইসগুলিতে উচ্চ অপটিক্যাল লাভ, উচ্চ স্যাচুরেশন আউটপুট পাওয়ার, কম মেরুকরণ নির্ভর ক্ষতি, কম শব্দের চিত্র এবং বিস্তৃত তরঙ্গদৈর্ঘ্য পরিসীমা রয়েছে। আমাদের কাছে ইনপুট এবং/অথবা আউটপুট সাইডের জন্য অপটিক্যাল আইসোলেটরের বিকল্প রয়েছে সেইসাথে এসএম ফাইবার, পিএম ফাইবার এবং গ্রাহকের স্পেসিফিকেশন অনুযায়ী অন্যান্য বিশেষ ফাইবারগুলির আউটপুট ফাইবার। পণ্যগুলি Telcordia GR-468 যোগ্য, এবং RoHS প্রয়োজনীয়তা মেনে।

940nm 130W ফাইবার কাপলড লেজার ডায়োড মডিউল একটি 106um ফাইবার থেকে 130W পর্যন্ত আউটপুট পাওয়ার অফার করে। ডায়োড লেজার দক্ষ ফাইবার কাপলিংয়ের জন্য একটি মালিকানাধীন অপটিক্যাল ডিজাইনের সাথে উচ্চ-উজ্জ্বলতা, উচ্চ-শক্তি একক-ইমিটার ডায়োডগুলিকে সংযুক্ত করে তার অতুলনীয় নির্ভরযোগ্যতা এবং দক্ষতা বজায় রাখে।

793nm 10W MM ফাইবার পিগটেল লেজার ডায়োড একটি নতুন উচ্চ উজ্জ্বলতা একক-ইমিটার ভিত্তিক, ফাইবার-কাপলড ডায়োড লেজার পাম্প মডিউল প্রবর্তন করে যা 793nm তরঙ্গদৈর্ঘ্যের একটি 105um ফাইবার কোরে 10W আউটপুট পাওয়ার সরবরাহ করে, যার একটি সংখ্যাসূচক অ্যাপারচার 02NA।

500um Large Area InGaAs Avalanche Photodiode চিপ বিশেষভাবে ডিজাইন করা হয়েছে যাতে কম অন্ধকার, কম ক্যাপাসিট্যান্স এবং উচ্চ তুষারপাত লাভ হয়। এই চিপটি ব্যবহার করে একটি উচ্চ সংবেদনশীলতা সহ একটি অপটিক্যাল রিসিভার অর্জন করা যেতে পারে।