1064nm DFB লেজার ডায়োড নির্মাতারা

শিল্প লেজার প্রয়োগে, লোকেরা সাধারণত অতীতে 915nm পাম্পিং ব্যবহার করত, কিন্তু ফাইবার লেজারগুলির দ্রুত বিকাশের সাথে, উচ্চ শক্তির জন্য বাজারের চাহিদা আরও বেশি হয়ে উঠেছে এবং প্রতিযোগিতা ক্রমশ তীব্র হয়ে উঠছে। 915nm তরঙ্গদৈর্ঘ্য কম শোষণ দক্ষ যা খরচ এবং প্রযুক্তিগত দ্বিগুণ বাধা এনেছে, উচ্চ-শক্তি এবং কম খরচে ফাইবার যুগল লেজার মডিউলগুলির বিকাশকে সীমিত করে।

বেশিরভাগ ক্ষেত্রে লেজার থেকে নির্গত আলো পোলারাইজড হয়। সাধারণত রৈখিকভাবে মেরুকৃত, অর্থাৎ, বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি লেজার রশ্মির প্রচারের দিক থেকে লম্বভাবে একটি নির্দিষ্ট দিকে দোদুল্যমান হয়। কিছু লেজার (যেমন, ফাইবার লেজার) রৈখিকভাবে পোলারাইজড আলো তৈরি করে না, তবে অন্যান্য স্থিতিশীল মেরুকরণ অবস্থা, যা তরঙ্গপ্লেটগুলির একটি উপযুক্ত সংমিশ্রণ ব্যবহার করে রৈখিকভাবে পোলারাইজড আলোতে রূপান্তরিত হতে পারে। ব্রডব্যান্ড বিকিরণের ক্ষেত্রে, এবং মেরুকরণ অবস্থা তরঙ্গদৈর্ঘ্য নির্ভর, উপরের পদ্ধতি ব্যবহার করা যাবে না।

প্রযুক্তি এবং প্রক্রিয়ার বিকাশের সাথে, বর্তমানে ব্যবহারিক ব্যবহারে সেমিকন্ডাক্টর লেজার ডায়োডগুলির একটি জটিল বহুস্তর কাঠামো রয়েছে।

লোকেরা এই ASE প্রক্রিয়াটিকে ব্রডব্যান্ড ASE আলোর উত্স তৈরি করতে ব্যবহার করেছে যা বিভিন্ন টেলিযোগাযোগ, ফাইবার সেন্সিং, ফাইবার অপটিক জাইরোস্কোপ এবং পরীক্ষা ও পরিমাপ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অপরিহার্য।

এটি একটি প্যাকেজড চিপ যার ভিতরে দশ বা কোটি কোটি ট্রানজিস্টরের সমন্বয়ে গঠিত ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট। যখন আমরা একটি মাইক্রোস্কোপের নীচে জুম করি, আমরা দেখতে পারি যে অভ্যন্তরটি একটি শহরের মতোই জটিল। ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট হল এক ধরনের ক্ষুদ্রাকৃতির ইলেকট্রনিক ডিভাইস বা উপাদান। ওয়্যারিং এবং আন্তঃসংযোগের সাথে, একটি ছোট বা একাধিক ছোট সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বা ডাইইলেকট্রিক সাবস্ট্রেটের উপর গড়া যাতে কাঠামোগতভাবে ঘনিষ্ঠভাবে সংযুক্ত এবং অভ্যন্তরীণভাবে সম্পর্কিত ইলেকট্রনিক সার্কিট তৈরি করা হয়। আসুন সবচেয়ে মৌলিক ভোল্টেজ বিভাজক সার্কিটটিকে উদাহরণ হিসাবে নিই যে এটি কীভাবে চিপের ভিতরে প্রভাব উপলব্ধি করা যায় এবং উত্পাদন করা যায়।