905nm 70W পালসড লেজার চিপ

প্যারামিটার

প্রতীক

মিন.

টাইপ.

সর্বোচ্চ

ইউনিট

অপারেশন

কেন্দ্র ডব্লিউদৈর্ঘ্য

λগ

895

905

915

nm

পিক ওআউটপুট পিধার

পো

75

-

-

W

অপারেশন এমode

-

QCW

-

নাড়ির প্রস্থ

t

-

200

-

%

ফ্রিকোয়েন্সি

f

-

5

-

KHz

কর্ম চক্র

D

-

0.1

-

%

ইলেক্ট্রো অপটিক্যাল ডেটা

থ্রেশহোল্ড সিবর্তমান

I_TH

-

0.8

-

A

অপারেটিং সিবর্তমান

I_ওপি

-

22

-

A

অপারেটিং ভিওল্টেজ

V_ওপি

-

9.5

-

V

ঢাল ঙদক্ষতা

η_D

-

3.5

-

W/A

মোট রূপান্তর দক্ষতা

η

-

35

-

%

ধীর axis dইভারজেন্সি (FWHM)

θ_‖

-

13

-

ডিগ্রী

দ্রুত axis Dইভারজেন্সি (FWHM)

θ_⊥

-

30

-

ডিগ্রী

বর্ণালী প্রস্থ (FWHM)

Îλ

-

5

-

nm

তরঙ্গদৈর্ঘ্য তাপমাত্রা সহগ

λ_T

-

0.28

-

এনএম/℃

মেরুকরণ

-

-

টি.ই

-

-

এলডি অপারেটিংtemperature

-

-

25

-

℃

জ্যামিতিক

বর্তমান ইনজেকশন ক্রসসেকশন

wxh

-

300x10

-

µm²

গহ্বরlদৈর্ঘ্য

L

-

750

-

µm

চিপ প্রস্থ

W

-

400

-

µm

চিপ উচ্চতা

H

-

150

-

µm